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939年，西门子公司的德国著名物理学家肖特基（Schottky）发表了“关于晶体整流器的空间电荷和表面层理论的量化解释”，奠定了肖特基势垒二极管的理论基础。

1955年，西门子公司发明了三氯硅烷还原法制取高纯多晶硅以及由此发展起来的区熔提纯单晶硅，即著名的西门子法和后来的改良西门子法。区熔单晶硅法（FZ）仍然是现在功率半导体材料的主要生产方法。

1964年，西门子公司发明了螺栓型内压接式结构制作硅电力半导体器件，又于1965年发明了平板式外压接结构，即平板式晶闸管、电力二极管结构。

1973年，西门子首先采用中子嬗变掺杂单晶硅，使晶闸管（SCR）的性能指标大幅度提高。

1980年，西门子在功率MOSFET方面推出SIPMOS专利，占有较大的全球市场份额。

1988年，西门子率先推出透明阳极新结构NPT-IGBT，由于具有高可靠、低成本、类MOS特性，影响力大，西门子迅速确定了其IGBT国际标准化名称。

1990年，西门子电力半导体部门（1949年成立）和德国AEG电力半导体部门（1947年成立），各占50%股份合并成立著名的EUPEC公司，专业生产大功率电力半导体器件。

1994年，EUPEC推出EconoPACKTM IGBT模块系列，确立了现在EconoPACK（六单元），EconoPIM（整流桥+七单元）IGBT模块封装的标准。

1995年，EUPEC率先推出3300V IGBT高压模块（IHV）。

1996年，EUPEC推出全球第一个商业化的8000V光触发晶闸管（LTT），目前仍然是全球唯一能提供商业化LTT的厂家。

1998年，西门子半导体突破了功率MOSFET的发展极限，推出了CoolMOSTM发明专利，高压功率MOS其漂移区Rds(on)部分大幅度降低，英飞凌CoolMOS是高压（≥500V）功率MOSFET发展史上的一个里程碑。

1998年，英飞凌同时推出沟槽栅的低压（≤150V）功率MOSFET，即OptiMOSTM，大幅度降低了沟道部分的Rds(on)。Rds(on)低是英飞凌功率MOSFET的核心竞争力。

1999年，EUPEC率先推出6500V IGBT模块。

1999年，西门子半导体集团独立上市，形成英飞凌科技公司。

2000年，英飞凌推出沟槽栅+场终止技术，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是当今两种先进的IGBT芯片生产技术的杰出组合。